UCC27531DR

功能描述:IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC

制造商:texas instruments

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

驱动配置:高压侧或低压侧

通道类型:单路

驱动器数:1

栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET

电压 - 电源:10 V ~ 32 V

逻辑电压?- VIL,VIH:1.2V,2.2V

电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.5A,5A

输入类型:非反相

高压侧电压 - 最大值(自举):-

上升/下降时间(典型值):15ns,7ns

工作温度:-40°C ~ 140°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

标准包装:1

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